Peculiarities of growing Ga1–xInxAs solid solutions on GaAs substrates in the field of a temperature gradient through a thin gas zone

Peculiarities of growing Ga1–xInxAs solid solutions on GaAs substrates in the field of a temperature gradient through a thin gas zone

Solid solution Ga1–xInxAs is widely used in modern optoelectronics as a material for p-i-n photodetectors, lasers emitting in the spectral range 1.3–1.55 μm. In this paper, the features of obtaining Ga1–xInxAs films by the method of zone recrystallization with a temperature gradient, the essence of...

Descripció completa

Guardat en:

Dades bibliogràfiques
Autors principals:	Devitsky, O. V., Девицкий, О. В., Lunin, L. S., Лунин, Л. С., Mitrofanov, D. V., Митрофанов, Д. В., Sysoev, I. A., Сысоев, И. А., Nikulin, D. A., Никулин, Д. А., Chapura, O. M., Чапура, О. М.
Format:	Статья
Idioma:	English
Publicat:	2023
Matèries:	Raman spectroscopy Thin gas band Ga1–xInxAs Temperature gradient field Atomic force microscopy III–V compounds
Accés en línia:	https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/25811
Etiquetes:	Afegir etiqueta Sense etiquetes, Sigues el primer a etiquetar aquest registre!

Ítems similars

Influence of magnetron sputtering conditions on the structure and surface morphology of InxGa1–xAs thin films on a GaAs (100) substrate
per: Devitsky, O. V., et al.
Publicat: (2023)

EFFECT OF BISMUTH CONTENT ON THE STRUCTURAL AND ELECTRONIC PROPERTIES OF GaAs1-yBiy: FIRST PRINCIPLES CALCULATIONS
per: Devitsky, O. V., et al.
Publicat: (2024)

Growth of nanotextured thin films of GaInAsP and GaInAsSbBi solid solutions on GaP substrates by pulsed laser deposition
per: Pashchenko, A. S., et al.
Publicat: (2023)

Structure and morphology of GaInAsP solid solutions on GaAs substrates grown by pulsed laser deposition
per: Pashchenko, A. S., et al.
Publicat: (2022)

Ion-beam crystallization of inGaAs island nanostructures on GaAs substrates
per: Sysoev, I. A., et al.
Publicat: (2019)

Influence of annealing temperature on optical properties of the photonic-crystal structures obtained by self-organization of colloidal microspheres of polystyrene and silica
per: Mikhnev, L. V., et al.
Publicat: (2018)

Pulsed laser deposition of AlxGa1–xAs and GaP thin films onto Si substrates for photoelectric converters
per: Devitsky, O. V., et al.
Publicat: (2018)

Photo-, cathodic- And electroluminescence-band models in solid (SiC)1-x(AIN)xluminescence centers and SiC/SiC-AIN LEDs
per: Sankin, A. V., et al.
Publicat: (2021)

Epitaxial growth of GaInAsBi thin films on Si (001) substrate using pulsed laser deposition
per: Pashchenko, A. S., et al.
Publicat: (2024)

Neural network analysis for image classification
per: Vershkov, N. A., et al.
Publicat: (2022)

Influence of argon pressure on the surface morphology of thin InGaAsP/Si films
per: Devitsky, O. V., et al.
Publicat: (2022)

The effect of the transformation of point defects under Joule heating on efficiency of LEDs with InGaN/GaN quantum wells
per: Tarala, V. A., et al.
Publicat: (2018)

Effect of the Ag nanoparticle concentration in TiO2–Ag functional coatings on the characteristics of GaInP/GaAs/Ge photoconverters
per: Kravtsov, A. A., et al.
Publicat: (2018)

Peculiarities of pulsed laser deposition of thin InGaAsN films in an active background gas atmosphere
per: Devitsky, O. V., et al.
Publicat: (2023)

Effect of nitrogen pressure on the composition and structure of thin films GaAs1 - x - yNxBiy
per: Devitsky, O. V., et al.
Publicat: (2024)

STRUCTURE AND COMPOSITION OF THIN GaAs1-x-yNxBiy FILMS PRODUCED BY PULSED LASER DEPOSITION
per: Devitsky, O. V., et al.
Publicat: (2023)

The Study of GaInAsP/InP Heterostructures with an Array of InAs Nanoislands
per: Lunin, L. S., et al.
Publicat: (2022)

Study of the composition of GaAs1-yBiy films obtained by pulsed laser deposition
per: Devitsky, O. V., et al.
Publicat: (2022)

PLD growth of InGaAsP nanowires: morphology surface and structural property
per: Sysoev, I. A., et al.
Publicat: (2022)

Calculation of the temperature behavior features of electrical conductivity in GeTe, SnTe and A(x-1) B(x) C semiconductors - Solutions of Tc near-structural phase transition
per: Sankin, A. V., et al.
Publicat: (2021)

Influence of indium concentration on the structure and surface morphology of InGaAs films obtained by liquid-phase epitaxy
per: Mitrofanov, D. V., et al.
Publicat: (2022)

Разработка технологии получения наноразмерного ZnO легированного Ga
per: Жалыбина, Е. Г.
Publicat: (2019)

Calculation and analysis of the features temperature behavior of the electrical conductivity semiconductors GeTe and SnTe near structural phase transition TC
per: Sankin, A. V., et al.
Publicat: (2020)

Исследование полосы преобразования терагерцовых смесителей на эффекте электронного разогрева в NbZr, NbN и в одиночном гетеропереходе AlGaAs/GaAs монография
per: Смирнов, А. В.

Photoluminescence of CaGa2O4 activated with rare earth ions Yb3+ and Er3+
per: Mar’in, A. P., et al.
Publicat: (2022)

Проектирование СВЧ-усилителей на GaAs полевых транзисторах учебно-методическое пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий
per: Тяжлов В. С.
Publicat: (2019)

Проектирование СВЧ-усилителей на GaAs полевых транзисторах учебно-методическое пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий
per: Тяжлов, В. С.

Исследование характеристик диода шоттки на основе GaAs с квантовыми ямами практикум
per: Тихов С. В.
Publicat: (2010)

Диод Шоттки на основе GaAs: технология получения и диагностика электронное учебно-методическое пособие
per: Дорохин М. В.
Publicat: (2013)

Эффективная аппаратная реализация генетического алгоритма Compact GA для поиска экстремума функций Статья
per: Борисевич А. В.

A new approach to training neural networks using natural gradient descent with momentum based on Dirichlet distributions
per: Abdulkadirov, R. I., et al.
Publicat: (2023)

Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs-GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN и детекторы субмиллиметрового и ИК излучения на их основе Монография
per: Чулкова Г.М

Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs-GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN и детекторы субмиллиметрового и ИК излучения на их основе монография

Extreme environment wideband, high-efficiency photovoltaics based on new physical principles and hyperfast LPE GaAs power electronics
per: Saytiev, A. B., et al.
Publicat: (2019)

Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом ГФЭ МОС описание лабораторной работы
Publicat: (2001)

A Cosmopolite in a Cafe
per: Henry O.
Publicat: (2014)

Моделирование перераспределения точечных и линейных дефектов в GaAs при локальном воздействии ионами Статья
per: Крылов П.Н

Probability of erroneous reception of navigational radio signals under ionospheric disturbances
per: Pashintsev, V. P., et al.
Publicat: (2019)

A Voyage
per: Conan D. A.
Publicat: (2013)

A Parable
per: Conan D. A.
Publicat: (2013)