Peculiarities of growing Ga1–xInxAs solid solutions on GaAs substrates in the field of a temperature gradient through a thin gas zone
Solid solution Ga1–xInxAs is widely used in modern optoelectronics as a material for p-i-n photodetectors, lasers emitting in the spectral range 1.3–1.55 μm. In this paper, the features of obtaining Ga1–xInxAs films by the method of zone recrystallization with a temperature gradient, the essence of...
সংরক্ষণ করুন:
প্রধান লেখক: | , , , , , , , , , , , |
---|---|
বিন্যাস: | Статья |
ভাষা: | English |
প্রকাশিত: |
2023
|
বিষয়গুলি: | |
অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/25811 |
ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|