Peculiarities of growing Ga1–xInxAs solid solutions on GaAs substrates in the field of a temperature gradient through a thin gas zone
Solid solution Ga1–xInxAs is widely used in modern optoelectronics as a material for p-i-n photodetectors, lasers emitting in the spectral range 1.3–1.55 μm. In this paper, the features of obtaining Ga1–xInxAs films by the method of zone recrystallization with a temperature gradient, the essence of...
Αποθηκεύτηκε σε:
| Κύριοι συγγραφείς: | , , , , , , , , , , , |
|---|---|
| Μορφή: | Статья |
| Γλώσσα: | English |
| Έκδοση: |
2023
|
| Θέματα: | |
| Διαθέσιμο Online: | https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/25811 |
| Ετικέτες: |
Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!
|