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Peculiarities of growing Ga1–xInxAs solid solutions on GaAs substrates in the field of a temperature gradient through a thin gas zone

Solid solution Ga1–xInxAs is widely used in modern optoelectronics as a material for p-i-n photodetectors, lasers emitting in the spectral range 1.3–1.55 μm. In this paper, the features of obtaining Ga1–xInxAs films by the method of zone recrystallization with a temperature gradient, the essence of...

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ग्रंथसूची विवरण
मुख्य लेखकों: Devitsky, O. V., Девицкий, О. В., Lunin, L. S., Лунин, Л. С., Mitrofanov, D. V., Митрофанов, Д. В., Sysoev, I. A., Сысоев, И. А., Nikulin, D. A., Никулин, Д. А., Chapura, O. M., Чапура, О. М.
स्वरूप: Статья
भाषा:English
प्रकाशित: 2023
विषय:
ऑनलाइन पहुंच:https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/25811
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