Peculiarities of growing Ga1–xInxAs solid solutions on GaAs substrates in the field of a temperature gradient through a thin gas zone
Solid solution Ga1–xInxAs is widely used in modern optoelectronics as a material for p-i-n photodetectors, lasers emitting in the spectral range 1.3–1.55 μm. In this paper, the features of obtaining Ga1–xInxAs films by the method of zone recrystallization with a temperature gradient, the essence of...
Պահպանված է:
| Հիմնական հեղինակներ: | , , , , , , , , , , , |
|---|---|
| Ձևաչափ: | Статья |
| Լեզու: | English |
| Հրապարակվել է: |
2023
|
| Խորագրեր: | |
| Առցանց հասանելիություն: | https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/25811 |
| Ցուցիչներ: |
Ավելացրեք ցուցիչ
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!
|