Пропуск в контексте

Growth of nanotextured thin films of GaInAsP and GaInAsSbBi solid solutions on GaP substrates by pulsed laser deposition

GaInAsP and GaInAsSbBi solid solutions were grown on GaP (111) substrates by pulsed laser deposition using a laser fluence of 2.3 J/cm2 . Energy Dispersive X-ray microanalysis, atomic force microscopy, and Raman spectroscopy were used for analysis of the elemental composition and study of the surfac...

Полное описание

Сохранить в:
Библиографические подробности
Главные авторы: Pashchenko, A. S., Пащенко, А. С., Devitsky, O. V., Девицкий, О. В., Lunin, L. S., Лунин, Л. С.
Формат: Статья
Язык:English
Опубликовано: 2023
Темы:
Online-ссылка:https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/25836
Метки: Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!