Перейти до змісту

Growth of nanotextured thin films of GaInAsP and GaInAsSbBi solid solutions on GaP substrates by pulsed laser deposition

GaInAsP and GaInAsSbBi solid solutions were grown on GaP (111) substrates by pulsed laser deposition using a laser fluence of 2.3 J/cm2 . Energy Dispersive X-ray microanalysis, atomic force microscopy, and Raman spectroscopy were used for analysis of the elemental composition and study of the surfac...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Автори: Pashchenko, A. S., Пащенко, А. С., Devitsky, O. V., Девицкий, О. В., Lunin, L. S., Лунин, Л. С.
Формат: Статья
Мова:English
Опубліковано: 2023
Предмети:
Онлайн доступ:https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/25836
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!