Growth of nanotextured thin films of GaInAsP and GaInAsSbBi solid solutions on GaP substrates by pulsed laser deposition
GaInAsP and GaInAsSbBi solid solutions were grown on GaP (111) substrates by pulsed laser deposition using a laser fluence of 2.3 J/cm2 . Energy Dispersive X-ray microanalysis, atomic force microscopy, and Raman spectroscopy were used for analysis of the elemental composition and study of the surfac...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Статья |
| Ngôn ngữ: | English |
| Được phát hành: |
2023
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/25836 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|