Effect of nitrogen pressure on the composition and structure of thin films GaAs1 - x - yNxBiy
Thin films of GaAs1 - x - y NxBiy were deposited on a GaAs (100) substrate by pulsed laser deposition using an argon-nitrogen gas mixture at a pressure ranging from 1 to 60 Pa. The film thickness is found to decrease from 527 to 127 nm as the pressure of the argon-nitrogen gas mixture increased from...
Збережено в:
Автори: | Devitsky, O. V., Девицкий, О. В. |
---|---|
Формат: | Статья |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2024
|
Предмети: | |
Онлайн доступ: | https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/26523 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Схожі ресурси
-
STRUCTURE AND COMPOSITION OF THIN GaAs1-x-yNxBiy FILMS PRODUCED BY PULSED LASER DEPOSITION
за авторством: Devitsky, O. V., та інші
Опубліковано: (2023) -
EFFECT OF BISMUTH CONTENT ON THE STRUCTURAL AND ELECTRONIC PROPERTIES OF GaAs1-yBiy: FIRST PRINCIPLES CALCULATIONS
за авторством: Devitsky, O. V., та інші
Опубліковано: (2024) -
Study of the composition of GaAs1-yBiy films obtained by pulsed laser deposition
за авторством: Devitsky, O. V., та інші
Опубліковано: (2022) -
Extreme environment wideband, high-efficiency photovoltaics based on new physical principles and hyperfast LPE GaAs power electronics
за авторством: Saytiev, A. B., та інші
Опубліковано: (2019) -
Peculiarities of growing Ga1–xInxAs solid solutions on GaAs substrates in the field of a temperature gradient through a thin gas zone
за авторством: Devitsky, O. V., та інші
Опубліковано: (2023)