Effect of nitrogen pressure on the composition and structure of thin films GaAs1 - x - yNxBiy
Thin films of GaAs1 - x - y NxBiy were deposited on a GaAs (100) substrate by pulsed laser deposition using an argon-nitrogen gas mixture at a pressure ranging from 1 to 60 Pa. The film thickness is found to decrease from 527 to 127 nm as the pressure of the argon-nitrogen gas mixture increased from...
Đã lưu trong:
Những tác giả chính: | Devitsky, O. V., Девицкий, О. В. |
---|---|
Định dạng: | Статья |
Ngôn ngữ: | English |
Được phát hành: |
2024
|
Những chủ đề: | |
Truy cập trực tuyến: | https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/26523 |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Những quyển sách tương tự
-
STRUCTURE AND COMPOSITION OF THIN GaAs1-x-yNxBiy FILMS PRODUCED BY PULSED LASER DEPOSITION
Bằng: Devitsky, O. V., et al.
Được phát hành: (2023) -
EFFECT OF BISMUTH CONTENT ON THE STRUCTURAL AND ELECTRONIC PROPERTIES OF GaAs1-yBiy: FIRST PRINCIPLES CALCULATIONS
Bằng: Devitsky, O. V., et al.
Được phát hành: (2024) -
Study of the composition of GaAs1-yBiy films obtained by pulsed laser deposition
Bằng: Devitsky, O. V., et al.
Được phát hành: (2022) -
Extreme environment wideband, high-efficiency photovoltaics based on new physical principles and hyperfast LPE GaAs power electronics
Bằng: Saytiev, A. B., et al.
Được phát hành: (2019) -
Peculiarities of growing Ga1–xInxAs solid solutions on GaAs substrates in the field of a temperature gradient through a thin gas zone
Bằng: Devitsky, O. V., et al.
Được phát hành: (2023)