Growth of heteroepitaxial aluminium nitride films on aluminium oxide substrates via PEALD method
Research was performed on possibility of growth of heteroepitaxial aluminum nitride films on (0001) sapphire substrates within 210 to 300 degrees Celsius temperature range via plasma-enhanced atomic layer deposition. Samples created were studied by ellipsometry, x-ray diffraction analysis and rockin...
Збережено в:
Автори: | Tarala, V. A., Тарала, В. А., Altakhov, A. S., Алтахов, А. С., Ambartsumov, M. G., Амбарцумов, М. Г., Martens, V. Y., Мартенс, В. Я., Shevchenko, M. Y., Шевченко, М. Ю. |
---|---|
Формат: | Статья |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
2018
|
Предмети: | |
Онлайн доступ: | https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85017584082&origin=resultslist&sort=plf-f&src=s&nlo=1&nlr=20&nls=afprfnm-t&affilName=north+caucasus+federal+university&sid=4a2a77c64cce8892f9521d5be1c7d9a7&sot=afnl&sdt=sisr&sl=53&s=%28AF-ID%28%22North+Caucasus+Federal+University%22+60070541%29%29&ref=%28Growth+of+heteroepitaxial+aluminium+nitride+films+on+aluminium+oxide+substrates+via+PEALD+method%29&relpos=0&citeCnt=0&searchTerm= https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/3039 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Схожі ресурси
-
Growth of heteroepitaxial aluminium nitride films on aluminium oxide substrates via PEALD method
за авторством: Tarala, V. A., та інші
Опубліковано: (2018) -
Growth of aluminum nitride films by plasma-enhanced atomic layer deposition
за авторством: Tarala, V. A., та інші
Опубліковано: (2018) -
Growing c-axis oriented aluminum nitride films by plasma-enhanced atomic layer deposition at low temperatures
за авторством: Tarala, V. A., та інші
Опубліковано: (2018) -
Growing aluminum nitride films by plasma-enhanced atomic layer deposition at low temperatures
за авторством: Tarala, V. A., та інші
Опубліковано: (2018) -
Influence of coating thickness on the microstructure, composition and optical properties of aluminum nitride thin films grown on silicon substrates via low-temperature PEALD
за авторством: Ambartsumov, M. G., та інші
Опубліковано: (2021)