Growth of heteroepitaxial aluminium nitride films on aluminium oxide substrates via PEALD method
Research was performed on possibility of growth of heteroepitaxial aluminum nitride films on (0001) sapphire substrates within 210 to 300 degrees Celsius temperature range via plasma-enhanced atomic layer deposition. Samples created were studied by ellipsometry, x-ray diffraction analysis and rockin...
Đã lưu trong:
Những tác giả chính: | Tarala, V. A., Тарала, В. А., Altakhov, A. S., Алтахов, А. С., Ambartsumov, M. G., Амбарцумов, М. Г., Martens, V. Y., Мартенс, В. Я., Shevchenko, M. Y., Шевченко, М. Ю. |
---|---|
Định dạng: | Статья |
Ngôn ngữ: | English |
Được phát hành: |
Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
2018
|
Những chủ đề: | |
Truy cập trực tuyến: | https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85017584082&origin=resultslist&sort=plf-f&src=s&nlo=1&nlr=20&nls=afprfnm-t&affilName=north+caucasus+federal+university&sid=4a2a77c64cce8892f9521d5be1c7d9a7&sot=afnl&sdt=sisr&sl=53&s=%28AF-ID%28%22North+Caucasus+Federal+University%22+60070541%29%29&ref=%28Growth+of+heteroepitaxial+aluminium+nitride+films+on+aluminium+oxide+substrates+via+PEALD+method%29&relpos=0&citeCnt=0&searchTerm= https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/3039 |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Những quyển sách tương tự
-
Growth of heteroepitaxial aluminium nitride films on aluminium oxide substrates via PEALD method
Bằng: Tarala, V. A., et al.
Được phát hành: (2018) -
Growth of aluminum nitride films by plasma-enhanced atomic layer deposition
Bằng: Tarala, V. A., et al.
Được phát hành: (2018) -
Growing c-axis oriented aluminum nitride films by plasma-enhanced atomic layer deposition at low temperatures
Bằng: Tarala, V. A., et al.
Được phát hành: (2018) -
Growing aluminum nitride films by plasma-enhanced atomic layer deposition at low temperatures
Bằng: Tarala, V. A., et al.
Được phát hành: (2018) -
Influence of coating thickness on the microstructure, composition and optical properties of aluminum nitride thin films grown on silicon substrates via low-temperature PEALD
Bằng: Ambartsumov, M. G., et al.
Được phát hành: (2021)