تخطي إلى المحتوى

Calculation of the Schottky barrier and current–voltage characteristics of metal–alloy structures based on silicon carbide

A simple but nonlinear model of the defect density at a metal–semiconductor interface, when a Schottky barrier is formed by surface defects states localized at the interface, is developed. It is shown that taking the nonlinear dependence of the Fermi level on the defect density into account leads to...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Altukhov, V. I., Алтухов, В. И., Kasyanenko, I. S., Касьяненко, И. С., Sankin, A. V., Санкин, А. В.
التنسيق: Статья
اللغة:English
منشور في: Maik Nauka-Interperiodica Publishing 2018
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-84986192894&origin=resultslist&sort=plf-f&src=s&nlo=1&nlr=20&nls=afprfnm-t&affilName=North+caucasus+federal+university&sid=1e7600f256f2f6c480679cbfff85823c&sot=afnl&sdt=sisr&cluster=scopubyr%2c%222016%22%2ct&sl=53&s=%28AF-ID%28%22North+Caucasus+Federal+University%22+60070541%29%29&ref=%28Calculation+of+the+Schottky+barrier+and+current%E2%80%93voltage+characteristics+of+metal%E2%80%93alloy+structures+based+on+silicon+carbide%29&relpos=0&citeCnt=1&searchTerm=
https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/3404
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!