Przejdź do treści

Исследование рельефа поверхности полупроводниковой hemt-структуры методом атомно-силовой микроскопии практикум

В пособии описаны физические принципы работы атомно-силового сканирующего зондового микроскопа. Изложена методика анализа топографии поверхности полупроводниковой структуры с использованием контактного способа измерений. Практикум предназначен для студентов дневного отделения магистратуры радиофизич...

Szczegółowa specyfikacja

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
1. autor: Волкова Е. В.
Kolejni autorzy: Забавичев И. Ю., Оболенский С. В.
Format: Книга
Język:Russian
Wydane: Нижний Новгород ННГУ им. Н. И. Лобачевского 2014
Dostęp online:https://e.lanbook.com/book/152815
https://e.lanbook.com/img/cover/book/152815.jpg
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!