Пропуск в контексте

Исследование рельефа поверхности полупроводниковой hemt-структуры методом атомно-силовой микроскопии практикум

В пособии описаны физические принципы работы атомно-силового сканирующего зондового микроскопа. Изложена методика анализа топографии поверхности полупроводниковой структуры с использованием контактного способа измерений. Практикум предназначен для студентов дневного отделения магистратуры радиофизич...

全面介紹

Сохранить в:
書目詳細資料
主要作者: Волкова Е. В.
其他作者: Забавичев И. Ю., Оболенский С. В.
格式: Книга
語言:Russian
出版: Нижний Новгород ННГУ им. Н. И. Лобачевского 2014
在線閱讀:https://e.lanbook.com/book/152815
https://e.lanbook.com/img/cover/book/152815.jpg
標簽: 添加標簽
沒有標簽, 成為第一個標記此記錄!
實物特徵
總結:В пособии описаны физические принципы работы атомно-силового сканирующего зондового микроскопа. Изложена методика анализа топографии поверхности полупроводниковой структуры с использованием контактного способа измерений. Практикум предназначен для студентов дневного отделения магистратуры радиофизического факультета ННГУ в качестве пособия при подготовке и проведении лабораторных работ по специализированному курсу «Сканирующая зондовая микроскопия».
Item Description:Рекомендовано методической комиссией радиофизического факультета для студентов ННГУ, обучающихся по направлениям подготовки 011800 «Радиофизика и электроника» 010400 «Информационные технологии» 654700 «Информационная безопасность телекоммуникационных систем»
實物描述:17 с.
讀者:Книга из коллекции ННГУ им. Н. И. Лобачевского - Физика
參考書目:Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань