Anar al contingut

Исследование рельефа поверхности полупроводниковой hemt-структуры методом атомно-силовой микроскопии практикум

В пособии описаны физические принципы работы атомно-силового сканирующего зондового микроскопа. Изложена методика анализа топографии поверхности полупроводниковой структуры с использованием контактного способа измерений. Практикум предназначен для студентов дневного отделения магистратуры радиофизич...

Descripció completa

Guardat en:
Dades bibliogràfiques
Autor principal: Волкова Е. В.
Altres autors: Забавичев И. Ю., Оболенский С. В.
Format: Книга
Idioma:Russian
Publicat: Нижний Новгород ННГУ им. Н. И. Лобачевского 2014
Accés en línia:https://e.lanbook.com/book/152815
https://e.lanbook.com/img/cover/book/152815.jpg
Etiquetes: Afegir etiqueta
Sense etiquetes, Sigues el primer a etiquetar aquest registre!