Пропуск в контексте

Исследование рельефа поверхности полупроводниковой hemt-структуры методом атомно-силовой микроскопии практикум

В пособии описаны физические принципы работы атомно-силового сканирующего зондового микроскопа. Изложена методика анализа топографии поверхности полупроводниковой структуры с использованием контактного способа измерений. Практикум предназначен для студентов дневного отделения магистратуры радиофизич...

Полное описание

Сохранить в:
Библиографические подробности
Главный автор: Волкова Е. В.
Другие авторы: Забавичев И. Ю., Оболенский С. В.
Формат: Книга
Язык:Russian
Опубликовано: Нижний Новгород ННГУ им. Н. И. Лобачевского 2014
Online-ссылка:https://e.lanbook.com/book/152815
https://e.lanbook.com/img/cover/book/152815.jpg
Метки: Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!