Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галлия методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений описание лабораторной работы
Эпитаксиальный рост монокристаллических слоев полупроводников из газовой фазы широко используется в технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем. Цель данной лабораторной работы состоит в ознакомлении студентов с физико-химическими основами эпитаксиального роста методом МОСГЭ, получении...
সংরক্ষণ করুন:
| বিন্যাস: | Книга |
|---|---|
| ভাষা: | Russian |
| প্রকাশিত: |
Нижний Новгород
ННГУ им. Н. И. Лобачевского
1999
|
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://e.lanbook.com/book/153072 https://e.lanbook.com/img/cover/book/153072.jpg |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|