Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галлия методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений описание лабораторной работы
Эпитаксиальный рост монокристаллических слоев полупроводников из газовой фазы широко используется в технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем. Цель данной лабораторной работы состоит в ознакомлении студентов с физико-химическими основами эпитаксиального роста методом МОСГЭ, получении...
Gespeichert in:
| Format: | Книга |
|---|---|
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Нижний Новгород
ННГУ им. Н. И. Лобачевского
1999
|
| Online Zugang: | https://e.lanbook.com/book/153072 https://e.lanbook.com/img/cover/book/153072.jpg |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|