Пропуск в контексте

Диод Шоттки на основе GaAs: технология получения и диагностика электронное учебно-методическое пособие

Описаны основные свойства контактов металл/полупроводник, образующих барьер Шоттки. Рассмотрены методы измерений и расчёта характеристик диода Шоттки. Изложены основы технологии формирования контактов металл/полупроводник для Si и GaAs, рассмотрены основные методы формирования контактов. Приведено о...

תיאור מלא

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
מחבר ראשי: Дорохин М. В.
מחברים אחרים: Здоровейщев А. В.
פורמט: Книга
שפה:Russian
יצא לאור: Нижний Новгород ННГУ им. Н. И. Лобачевского 2013
גישה מקוונת:https://e.lanbook.com/book/153364
https://e.lanbook.com/img/cover/book/153364.jpg
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!