Диод Шоттки на основе GaAs: технология получения и диагностика электронное учебно-методическое пособие
Описаны основные свойства контактов металл/полупроводник, образующих барьер Шоттки. Рассмотрены методы измерений и расчёта характеристик диода Шоттки. Изложены основы технологии формирования контактов металл/полупроводник для Si и GaAs, рассмотрены основные методы формирования контактов. Приведено о...
保存先:
| 第一著者: | |
|---|---|
| その他の著者: | |
| フォーマット: | Книга |
| 言語: | Russian |
| 出版事項: |
Нижний Новгород
ННГУ им. Н. И. Лобачевского
2013
|
| オンライン･アクセス: | https://e.lanbook.com/book/153364 https://e.lanbook.com/img/cover/book/153364.jpg |
| タグ: |
タグ追加
タグなし, このレコードへの初めてのタグを付けませんか!
|