Przejdź do treści

Диод Шоттки на основе GaAs: технология получения и диагностика электронное учебно-методическое пособие

Описаны основные свойства контактов металл/полупроводник, образующих барьер Шоттки. Рассмотрены методы измерений и расчёта характеристик диода Шоттки. Изложены основы технологии формирования контактов металл/полупроводник для Si и GaAs, рассмотрены основные методы формирования контактов. Приведено о...

Szczegółowa specyfikacja

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
1. autor: Дорохин М. В.
Kolejni autorzy: Здоровейщев А. В.
Format: Книга
Język:Russian
Wydane: Нижний Новгород ННГУ им. Н. И. Лобачевского 2013
Dostęp online:https://e.lanbook.com/book/153364
https://e.lanbook.com/img/cover/book/153364.jpg
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!