Исследование характеристик диода шоттки на основе GaAs с квантовыми ямами практикум
В настоящей работе представлено описание квантовых размерных эффектов в гетеронаноструктурах GaAs/InGaAs. Рассмотрены особенности поведения диодов Шоттки на основе этих гетероструктур как фотоприемников излучения. Описаны методики измерения люксвольтовой характеристики и спектральной фото-чувствител...
Uloženo v:
| Hlavní autor: | |
|---|---|
| Další autoři: | |
| Médium: | Книга |
| Jazyk: | Russian |
| Vydáno: |
Нижний Новгород
ННГУ им. Н. И. Лобачевского
2010
|
| On-line přístup: | https://e.lanbook.com/book/153375 https://e.lanbook.com/img/cover/book/153375.jpg |
| Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!
|