Անցեք բովանդակությանը

Исследование характеристик диода шоттки на основе GaAs с квантовыми ямами практикум

В настоящей работе представлено описание квантовых размерных эффектов в гетеронаноструктурах GaAs/InGaAs. Рассмотрены особенности поведения диодов Шоттки на основе этих гетероструктур как фотоприемников излучения. Описаны методики измерения люксвольтовой характеристики и спектральной фото-чувствител...

Ամբողջական նկարագրություն

Պահպանված է:
Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակ: Тихов С. В.
Այլ հեղինակներ: Шиляев П. А.
Ձևաչափ: Книга
Լեզու:Russian
Հրապարակվել է: Нижний Новгород ННГУ им. Н. И. Лобачевского 2010
Առցանց հասանելիություն:https://e.lanbook.com/book/153375
https://e.lanbook.com/img/cover/book/153375.jpg
Ցուցիչներ: Ավելացրեք ցուցիչ
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!