Исследование характеристик диода шоттки на основе GaAs с квантовыми ямами практикум
В настоящей работе представлено описание квантовых размерных эффектов в гетеронаноструктурах GaAs/InGaAs. Рассмотрены особенности поведения диодов Шоттки на основе этих гетероструктур как фотоприемников излучения. Описаны методики измерения люксвольтовой характеристики и спектральной фото-чувствител...
Сохранить в:
| 主要作者: | |
|---|---|
| 其他作者: | |
| 格式: | Книга |
| 语言: | Russian |
| 出版: |
Нижний Новгород
ННГУ им. Н. И. Лобачевского
2010
|
| 在线阅读: | https://e.lanbook.com/book/153375 https://e.lanbook.com/img/cover/book/153375.jpg |
| 标签: |
添加标签
没有标签, 成为第一个标记此记录!
|