Siirry sisältöön

Влияние температуры и электрического поля на фоточувствительность структур с квантовыми точками inas/gaas: практикум

В работе описаны физические основы возникновения фоточувствительности в области межзонного оптического поглощения квантовых точек InAs/GaAs и методика измерений спектральных зависимостей фоточувствительности диодов Шоттки при различных температурах и напряженностях электрического поля в квантово-раз...

Täydet tiedot

Tallennettuna:
Bibliografiset tiedot
Päätekijä: Волкова Н. С.
Muut tekijät: Горшков А. П.
Aineistotyyppi: Книга
Kieli:Russian
Julkaistu: Нижний Новгород ННГУ им. Н. И. Лобачевского 2022
Linkit:https://e.lanbook.com/book/344882
https://e.lanbook.com/img/cover/book/344882.jpg
Tagit: Lisää tagi
Ei tageja, Lisää ensimmäinen tagi!