Влияние температуры и электрического поля на фоточувствительность структур с квантовыми точками inas/gaas: практикум
В работе описаны физические основы возникновения фоточувствительности в области межзонного оптического поглощения квантовых точек InAs/GaAs и методика измерений спектральных зависимостей фоточувствительности диодов Шоттки при различных температурах и напряженностях электрического поля в квантово-раз...
Сохранить в:
| Главный автор: | |
|---|---|
| Другие авторы: | |
| Формат: | Книга |
| Язык: | Russian |
| Опубликовано: |
Нижний Новгород
ННГУ им. Н. И. Лобачевского
2022
|
| Online-ссылка: | https://e.lanbook.com/book/344882 https://e.lanbook.com/img/cover/book/344882.jpg |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
| Краткое описание: | В работе описаны физические основы возникновения фоточувствительности в области межзонного оптического поглощения квантовых точек InAs/GaAs и методика измерений спектральных зависимостей фоточувствительности диодов Шоттки при различных температурах и напряженностях электрического поля в квантово-размерном слое. Практикум предназначен для студентов физического факультета ННГУ, обучающихся по направлению подготовки 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника». |
|---|---|
| Объем: | 22 с. |
| Аудитория: | Книга из коллекции ННГУ им. Н. И. Лобачевского - Инженерно-технические науки СЭБ |
| Библиография: | Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань |