Влияние температуры и электрического поля на фоточувствительность структур с квантовыми точками inas/gaas: практикум
В работе описаны физические основы возникновения фоточувствительности в области межзонного оптического поглощения квантовых точек InAs/GaAs и методика измерений спектральных зависимостей фоточувствительности диодов Шоттки при различных температурах и напряженностях электрического поля в квантово-раз...
Сохранить в:
| Главный автор: | Волкова Н. С. |
|---|---|
| Другие авторы: | Горшков А. П. |
| Формат: | Книга |
| Язык: | Russian |
| Опубликовано: |
Нижний Новгород
ННГУ им. Н. И. Лобачевского
2022
|
| Online-ссылка: | https://e.lanbook.com/book/344882 https://e.lanbook.com/img/cover/book/344882.jpg |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
Схожие документы
-
Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом ГФЭ МОС описание лабораторной работы
Опубликовано: (2001) -
Исследование характеристик диода шоттки на основе GaAs с квантовыми ямами практикум
Автор: Тихов С. В.
Опубликовано: (2010) -
Задачи механики упругих тел с особыми точками монография
Автор: Пестренин, В. М. -
Асимптотическая кинетика образования объектов с квантовыми свойствами монография
Автор: Лин, Э. Э. -
Расчет электрического поля высоковольтной линии электропередачи учебно-методическое пособие
Автор: Мельникова О. С.
Опубликовано: (2019)