Влияние температуры и электрического поля на фоточувствительность структур с квантовыми точками inas/gaas: практикум
В работе описаны физические основы возникновения фоточувствительности в области межзонного оптического поглощения квантовых точек InAs/GaAs и методика измерений спектральных зависимостей фоточувствительности диодов Шоттки при различных температурах и напряженностях электрического поля в квантово-раз...
Uloženo v:
| Hlavní autor: | |
|---|---|
| Další autoři: | |
| Médium: | Книга |
| Jazyk: | Russian |
| Vydáno: |
Нижний Новгород
ННГУ им. Н. И. Лобачевского
2022
|
| On-line přístup: | https://e.lanbook.com/book/344882 https://e.lanbook.com/img/cover/book/344882.jpg |
| Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!
|