Особенности радикального травления полупроводниковых материалов в галогенсодержащей плазме учебно-методическое пособие для вузов Ч. 2 Особенности радикального травления полупроводниковых материалов в галогенсодержащей плазме : учебно-методическое пособие для вузов
Учебно-методическое пособие подготовлено на кафедре физики полупроводников и микроэлектроники физического факультета Воронежского государственного университета. Рекомендуется для студентов 3-го курса дневного отделения физического факультета, обучающихся по программе подготовки бакалавров....
Uloženo v:
| Médium: | Книга |
|---|---|
| Jazyk: | Russian |
| Vydáno: |
Воронеж
ВГУ
2014
|
| On-line přístup: | https://e.lanbook.com/book/357419 https://e.lanbook.com/img/cover/book/357419.jpg |
| Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!
|
| Shrnutí: | Учебно-методическое пособие подготовлено на кафедре физики полупроводников и микроэлектроники физического факультета Воронежского государственного университета. Рекомендуется для студентов 3-го курса дневного отделения физического факультета, обучающихся по программе подготовки бакалавров. |
|---|---|
| Fyzický popis: | 22 с. |
| Uživatelské určení: | Книга из коллекции ВГУ - Инженерно-технические науки СЭБ |
| Bibliografie: | Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань |