Моделирование технологии и параметров кремниевых наноразмерных транзисторных структур учебное пособие для вузов
Составлено в соответствии с Государственным образовательным стандартом по дисциплине «Наноэлектронная технология». Изложены основные темы учебного материала, входящего в лекционный курс. А именно: рассмотрены вопросы математического моделирования процессов ионного внедрения примесей в кремний с испо...
保存先:
| 第一著者: | |
|---|---|
| その他の著者: | , |
| フォーマット: | Книга |
| 言語: | Russian |
| 出版事項: |
Москва
НИЯУ МИФИ
2012
|
| オンライン･アクセス: | http://e.lanbook.com/books/element.php?pl1_id=75726 https://e.lanbook.com/img/cover/book/75726.jpg |
| タグ: |
タグ追加
タグなし, このレコードへの初めてのタグを付けませんか!
|
| 要約: | Составлено в соответствии с Государственным образовательным стандартом по дисциплине «Наноэлектронная технология». Изложены основные темы учебного материала, входящего в лекционный курс. А именно: рассмотрены вопросы математического моделирования процессов ионного внедрения примесей в кремний с использованием как «ручного» так и программного моделирования с помощью универсальной программы технологического моделирования T-CAD фирмы Synopsys. Представлены основные принципы работы с программой, включая списки команд, обеспечивающих моделирование технологии, электрофизических и электрических характеристик классического МДП-транзис-тора. Рассмотрены результаты моделирования наноразмерных МДП-транзисторов. Методика изложения материала позволяет студентам узнать теоретические вопросы и практически освоить основы программы T-CAD. Это первое учебное пособие по программе T-CAD на русском языке. Предназначено для студентов направлений подготовки по электронике. |
|---|---|
| 記述事項: | Рекомендовано УМО «Ядерные физика и технологии» в качестве учебного пособия для студентов высших учебных заведений |
| 物理的記述: | 80 с. |
| Audience: | Книга из коллекции НИЯУ МИФИ - Инженерно-технические науки |
| 書誌: | Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань |
| ISBN: | 978-5-7262-1730-7 |