Моделирование технологии и параметров кремниевых наноразмерных транзисторных структур учебное пособие для вузов
Составлено в соответствии с Государственным образовательным стандартом по дисциплине «Наноэлектронная технология». Изложены основные темы учебного материала, входящего в лекционный курс. А именно: рассмотрены вопросы математического моделирования процессов ионного внедрения примесей в кремний с испо...
Сохранить в:
| 主要作者: | |
|---|---|
| 其他作者: | , |
| 格式: | Книга |
| 语言: | Russian |
| 出版: |
Москва
НИЯУ МИФИ
2012
|
| 在线阅读: | http://e.lanbook.com/books/element.php?pl1_id=75726 https://e.lanbook.com/img/cover/book/75726.jpg |
| 标签: |
添加标签
没有标签, 成为第一个标记此记录!
|
| 总结: | Составлено в соответствии с Государственным образовательным стандартом по дисциплине «Наноэлектронная технология». Изложены основные темы учебного материала, входящего в лекционный курс. А именно: рассмотрены вопросы математического моделирования процессов ионного внедрения примесей в кремний с использованием как «ручного» так и программного моделирования с помощью универсальной программы технологического моделирования T-CAD фирмы Synopsys. Представлены основные принципы работы с программой, включая списки команд, обеспечивающих моделирование технологии, электрофизических и электрических характеристик классического МДП-транзис-тора. Рассмотрены результаты моделирования наноразмерных МДП-транзисторов. Методика изложения материала позволяет студентам узнать теоретические вопросы и практически освоить основы программы T-CAD. Это первое учебное пособие по программе T-CAD на русском языке. Предназначено для студентов направлений подготовки по электронике. |
|---|---|
| Item Description: | Рекомендовано УМО «Ядерные физика и технологии» в качестве учебного пособия для студентов высших учебных заведений |
| 实物描述: | 80 с. |
| 读者: | Книга из коллекции НИЯУ МИФИ - Инженерно-технические науки |
| 参考书目: | Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань |
| ISBN: | 978-5-7262-1730-7 |