Исследование наноразмерных пленок AlN методом АСМ
Tallennettuna:
Päätekijä: | Кузнецова, Е. А. |
---|---|
Aineistotyyppi: | ВКР |
Kieli: | Russian |
Julkaistu: |
2018
|
Linkit: | https://dspace.ncfu.ru:443/handle/20.500.12258/2328 |
Tagit: |
Lisää tagi
Ei tageja, Lisää ensimmäinen tagi!
|
Samankaltaisia teoksia
-
Исследование наноразмерных пленок AlN методом АСМ
Tekijä: Кузнецова, Е. А.
Julkaistu: (2018) -
Ion-beam deposition of thin AlN films on Al2O3 substrate
Tekijä: Devitsky, O. V., et al.
Julkaistu: (2020) -
Growing oriented AlN films on sapphire substrates by plasma-enhanced atomic layer deposition
Tekijä: Tarala, V. A., et al.
Julkaistu: (2018) -
Growing oriented AlN films on sapphire substrates by plasma-enhanced atomic layer deposition
Tekijä: Tarala, V. A., et al.
Julkaistu: (2018) -
Schotky barrier height and calculation of voltage–current characteristics of Al/n-(SiC)1–x(AlN)x diodes And 4H–SiC heterojunctions
Tekijä: Altukhov, V. I., et al.
Julkaistu: (2020)