Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы
Приведена классификация процессов и оборудования химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ), используемых в технологии производства интегральных микросхем (ИМС), и показаны тенденции их развития....
সংরক্ষণ করুন:
প্রধান লেখক: | Киреев В. Ю., Столяров А. А. |
---|---|
বিন্যাস: | গ্রন্থ |
প্রকাশিত: |
НБ СевКавГТУ
|
ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|
অনুরূপ উপাদানগুলি
-
Химическое осаждение из растворов
অনুযায়ী: Вассерман И. М. -
Рост алмаза и графита из газовой фазы
অনুযায়ী: Дерягин Б. В., অন্যান্য -
Получение покрытий. Методы физического и химического осаждения из газовой фазы учебное пособие
অনুযায়ী: Чернышова О. В.
প্রকাশিত: (2023) -
Получение и исследование свойств пластин поликристаллического алмаза, полученных методом химического осаждения из газовой фазы
অনুযায়ী: Алтахов, А. С.
প্রকাশিত: (2018) -
Получение и исследование свойств пластин поликристаллического алмаза, полученных методом химического осаждения из газовой фазы
অনুযায়ী: Алтахов, А. С.
প্রকাশিত: (2018)