Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы
Приведена классификация процессов и оборудования химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ), используемых в технологии производства интегральных микросхем (ИМС), и показаны тенденции их развития....
Сохранить в:
Главные авторы: | Киреев В. Ю., Столяров А. А. |
---|---|
Формат: | Книга |
Опубликовано: |
НБ СевКавГТУ
|
Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
Схожие документы
-
Химическое осаждение из растворов
Автор: Вассерман И. М. -
Рост алмаза и графита из газовой фазы
Автор: Дерягин Б. В., и др. -
Получение покрытий. Методы физического и химического осаждения из газовой фазы учебное пособие
Автор: Чернышова О. В.
Опубликовано: (2023) -
Получение и исследование свойств пластин поликристаллического алмаза, полученных методом химического осаждения из газовой фазы
Автор: Алтахов, А. С.
Опубликовано: (2018) -
Получение и исследование свойств пластин поликристаллического алмаза, полученных методом химического осаждения из газовой фазы
Автор: Алтахов, А. С.
Опубликовано: (2018)