Пропуск в контексте

Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы

Приведена классификация процессов и оборудования химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ), используемых в технологии производства интегральных микросхем (ИМС), и показаны тенденции их развития....

全面介紹

Сохранить в:
書目詳細資料
Главные авторы: Киреев В. Ю., Столяров А. А.
格式: 圖書
出版: НБ СевКавГТУ
標簽: 添加標簽
沒有標簽, 成為第一個標記此記錄!