Přeskočit na obsah
INVESTIGATION OF POSSIBILITY OF THE MISFIT DISLOCATION DENSITY REDUCTION IN GE/SI FILMS WITH A BUFFER LAYER

INVESTIGATION OF POSSIBILITY OF THE MISFIT DISLOCATION DENSITY REDUCTION IN GE/SI FILMS WITH A BUFFER LAYER

В работе исследована возможность улучшения качества гетероэпитаксиальных структур Ge/Si с буферным слоем. Показано, что при использовании подготовительного слоя, состоящего из наноостровков, зарощенных низкотемпературным буферным слоем, возможно проявление так называемого эффекта аннигиляции дислок...

Celý popis

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Hlavní autoři: Lapin, V. A., Лапин, В. А., Kravtsov, A. A., Кравцов, А. А., Kuleshov, D. S., Кулешов, Д. С., Malyavin, F. F., Малявин, Ф. Ф.
Médium: Статья
Jazyk:Russian
Vydáno: Tver State University 2024
Témata:
Heteroepitaxy
Buffer layer
Molecular beam epitaxy
Misfit dislocations
Defect annihilation
On-line přístup:https://dspace.ncfu.ru/handle/123456789/29291
Tagy: Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!
Popis
Shrnutí:В работе исследована возможность улучшения качества гетероэпитаксиальных структур Ge/Si с буферным слоем. Показано, что при использовании подготовительного слоя, состоящего из наноостровков, зарощенных низкотемпературным буферным слоем, возможно проявление так называемого эффекта аннигиляции дислокаций несоответствия в объеме буферного слоя Buf, что значительно улучшает приборное качество получаемых структур. Представлена зависимость морфологии поверхности слоя чистого Ge на буфере от времени роста наноостровков в интерфейсе Si /Buf . Выявлены оптимальные технологические параметры роста наноостровков для получения слоя Ge с минимальной значением шероховатости. Наилучших результатов удалось достичь при времени осаждения наноостровков 2 мин. При этом была достигнута минимальное значение шероховатости поверхности, равное 78 нм. Показано, что при дальнейшем увеличении размеров наноостровков, процесс аннигиляции дефектов замедляется, и рост низкотемпературного буферного слоя сменяется трехмерным островковым ростом, что увеличивает перепады рельефа поверхности выращиваемого слоя.

Podobné jednotky