INVESTIGATION OF POSSIBILITY OF THE MISFIT DISLOCATION DENSITY REDUCTION IN GE/SI FILMS WITH A BUFFER LAYER
В работе исследована возможность улучшения качества гетероэпитаксиальных структур Ge/Si с буферным слоем. Показано, что при использовании подготовительного слоя, состоящего из наноостровков, зарощенных низкотемпературным буферным слоем, возможно проявление так называемого эффекта аннигиляции дислок...
Gardado en:
| Главные авторы: | , , , , , , , |
|---|---|
| Formato: | Статья |
| Idioma: | Russian |
| Publicado: |
Tver State University
2024
|
| Темы: | |
| Acceso en liña: | https://dspace.ncfu.ru/handle/123456789/29291 |
| Метки: |
Engadir etiqueta
Sen Etiquetas, Sexa o primeiro en etiquetar este rexistro!
|
