INVESTIGATION OF POSSIBILITY OF THE MISFIT DISLOCATION DENSITY REDUCTION IN GE/SI FILMS WITH A BUFFER LAYER
В работе исследована возможность улучшения качества гетероэпитаксиальных структур Ge/Si с буферным слоем. Показано, что при использовании подготовительного слоя, состоящего из наноостровков, зарощенных низкотемпературным буферным слоем, возможно проявление так называемого эффекта аннигиляции дислок...
Uloženo v:
| Hlavní autoři: | , , , , , , , |
|---|---|
| Médium: | Статья |
| Jazyk: | Russian |
| Vydáno: |
Tver State University
2024
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | https://dspace.ncfu.ru/handle/123456789/29291 |
| Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!
|