INVESTIGATION OF POSSIBILITY OF THE MISFIT DISLOCATION DENSITY REDUCTION IN GE/SI FILMS WITH A BUFFER LAYER
В работе исследована возможность улучшения качества гетероэпитаксиальных структур Ge/Si с буферным слоем. Показано, что при использовании подготовительного слоя, состоящего из наноостровков, зарощенных низкотемпературным буферным слоем, возможно проявление так называемого эффекта аннигиляции дислок...
Guardado en:
| Autores principales: | , , , , , , , |
|---|---|
| Formato: | Статья |
| Lenguaje: | Russian |
| Publicado: |
Tver State University
2024
|
| Materias: | |
| Acceso en línea: | https://dspace.ncfu.ru/handle/123456789/29291 |
| Etiquetas: |
Agregar Etiqueta
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|