INVESTIGATION OF POSSIBILITY OF THE MISFIT DISLOCATION DENSITY REDUCTION IN GE/SI FILMS WITH A BUFFER LAYER
В работе исследована возможность улучшения качества гетероэпитаксиальных структур Ge/Si с буферным слоем. Показано, что при использовании подготовительного слоя, состоящего из наноостровков, зарощенных низкотемпературным буферным слоем, возможно проявление так называемого эффекта аннигиляции дислок...
Gorde:
| Egile Nagusiak: | , , , , , , , |
|---|---|
| Formatua: | Статья |
| Hizkuntza: | Russian |
| Argitaratua: |
Tver State University
2024
|
| Gaiak: | |
| Sarrera elektronikoa: | https://dspace.ncfu.ru/handle/123456789/29291 |
| Etiketak: |
Etiketa erantsi
Etiketarik gabe, Izan zaitez lehena erregistro honi etiketa jartzen!
|