INVESTIGATION OF POSSIBILITY OF THE MISFIT DISLOCATION DENSITY REDUCTION IN GE/SI FILMS WITH A BUFFER LAYER
В работе исследована возможность улучшения качества гетероэпитаксиальных структур Ge/Si с буферным слоем. Показано, что при использовании подготовительного слоя, состоящего из наноостровков, зарощенных низкотемпературным буферным слоем, возможно проявление так называемого эффекта аннигиляции дислок...
Tallennettuna:
| Päätekijät: | , , , , , , , |
|---|---|
| Aineistotyyppi: | Статья |
| Kieli: | Russian |
| Julkaistu: |
Tver State University
2024
|
| Aiheet: | |
| Linkit: | https://dspace.ncfu.ru/handle/123456789/29291 |
| Tagit: |
Lisää tagi
Ei tageja, Lisää ensimmäinen tagi!
|