INVESTIGATION OF POSSIBILITY OF THE MISFIT DISLOCATION DENSITY REDUCTION IN GE/SI FILMS WITH A BUFFER LAYER
В работе исследована возможность улучшения качества гетероэпитаксиальных структур Ge/Si с буферным слоем. Показано, что при использовании подготовительного слоя, состоящего из наноостровков, зарощенных низкотемпературным буферным слоем, возможно проявление так называемого эффекта аннигиляции дислок...
Salvato in:
| Autori principali: | , , , , , , , |
|---|---|
| Natura: | Статья |
| Lingua: | Russian |
| Pubblicazione: |
Tver State University
2024
|
| Soggetti: | |
| Accesso online: | https://dspace.ncfu.ru/handle/123456789/29291 |
| Tags: |
Aggiungi Tag
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne! !
|