INVESTIGATION OF POSSIBILITY OF THE MISFIT DISLOCATION DENSITY REDUCTION IN GE/SI FILMS WITH A BUFFER LAYER
В работе исследована возможность улучшения качества гетероэпитаксиальных структур Ge/Si с буферным слоем. Показано, что при использовании подготовительного слоя, состоящего из наноостровков, зарощенных низкотемпературным буферным слоем, возможно проявление так называемого эффекта аннигиляции дислок...
Bewaard in:
| Hoofdauteurs: | , , , , , , , |
|---|---|
| Formaat: | Статья |
| Taal: | Russian |
| Gepubliceerd in: |
Tver State University
2024
|
| Onderwerpen: | |
| Online toegang: | https://dspace.ncfu.ru/handle/123456789/29291 |
| Tags: |
Voeg label toe
Geen labels, Wees de eerste die dit record labelt!
|