INVESTIGATION OF POSSIBILITY OF THE MISFIT DISLOCATION DENSITY REDUCTION IN GE/SI FILMS WITH A BUFFER LAYER
В работе исследована возможность улучшения качества гетероэпитаксиальных структур Ge/Si с буферным слоем. Показано, что при использовании подготовительного слоя, состоящего из наноостровков, зарощенных низкотемпературным буферным слоем, возможно проявление так называемого эффекта аннигиляции дислок...
Zapisane w:
| Główni autorzy: | , , , , , , , |
|---|---|
| Format: | Статья |
| Język: | Russian |
| Wydane: |
Tver State University
2024
|
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | https://dspace.ncfu.ru/handle/123456789/29291 |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|