INVESTIGATION OF POSSIBILITY OF THE MISFIT DISLOCATION DENSITY REDUCTION IN GE/SI FILMS WITH A BUFFER LAYER
В работе исследована возможность улучшения качества гетероэпитаксиальных структур Ge/Si с буферным слоем. Показано, что при использовании подготовительного слоя, состоящего из наноостровков, зарощенных низкотемпературным буферным слоем, возможно проявление так называемого эффекта аннигиляции дислок...
Sparad:
| Huvudupphovsmän: | , , , , , , , |
|---|---|
| Materialtyp: | Статья |
| Språk: | Russian |
| Publicerad: |
Tver State University
2024
|
| Ämnen: | |
| Länkar: | https://dspace.ncfu.ru/handle/123456789/29291 |
| Taggar: |
Lägg till en tagg
Inga taggar, Lägg till första taggen!
|