INVESTIGATION OF POSSIBILITY OF THE MISFIT DISLOCATION DENSITY REDUCTION IN GE/SI FILMS WITH A BUFFER LAYER
В работе исследована возможность улучшения качества гетероэпитаксиальных структур Ge/Si с буферным слоем. Показано, что при использовании подготовительного слоя, состоящего из наноостровков, зарощенных низкотемпературным буферным слоем, возможно проявление так называемого эффекта аннигиляции дислок...
Сохранить в:
| Главные авторы: | , , , , , , , |
|---|---|
| 格式: | Статья |
| 語言: | Russian |
| 出版: |
Tver State University
2024
|
| 主題: | |
| 在線閱讀: | https://dspace.ncfu.ru/handle/123456789/29291 |
| 標簽: |
添加標簽
沒有標簽, 成為第一個標記此記錄!
|