Ion-beam deposition of thin AlN films on Al2O3 substrate

Thin aluminum nitride (AlN) films on sapphire (Al2O3) substrates were grown by means of ion-beam deposition (IBD) and studied by methods of scanning electron microscopy, Raman scattering, and optical transmission spectroscopy. Results revealed the influence of IBD process parameters (gas mixture com...

وصف كامل

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Devitsky, O. V., Девицкий, О. В., Sysoev, I. A., Сысоев, И. А., Kasyanov, I. V., Касьянов, И. В., Nikulin, D. A., Никулин, Д. А.
التنسيق:	Статья
اللغة:	English
منشور في:	MAIK NAUKA/INTERPERIODICA/SPRINGER 2020
الموضوعات:	Ion-beam deposition Gallium nitride Sapphire Aluminum nitride Wide-bandgap semiconductors
الوصول للمادة أونلاين:	http://apps.webofknowledge.com/full_record.do?product=WOS&search_mode=GeneralSearch&qid=17&SID=E1foOAlVMmMF3jxHUZa&page=1&doc=1 https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/11480
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

الانترنت

http://apps.webofknowledge.com/full_record.do?product=WOS&search_mode=GeneralSearch&qid=17&SID=E1foOAlVMmMF3jxHUZa&page=1&doc=1
https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/11480

Ion-beam deposition of thin AlN films on Al2O3 substrate

الانترنت

مواد مشابهة