Ion-beam deposition of thin AlN films on Al2O3 substrate
Thin aluminum nitride (AlN) films on sapphire (Al2O3) substrates were grown by means of ion-beam deposition (IBD) and studied by methods of scanning electron microscopy, Raman scattering, and optical transmission spectroscopy. Results revealed the influence of IBD process parameters (gas mixture com...
שמור ב:
| Главные авторы: | , , , , , , , |
|---|---|
| פורמט: | Статья |
| שפה: | English |
| יצא לאור: |
MAIK NAUKA/INTERPERIODICA/SPRINGER
2020
|
| נושאים: | |
| גישה מקוונת: | http://apps.webofknowledge.com/full_record.do?product=WOS&search_mode=GeneralSearch&qid=17&SID=E1foOAlVMmMF3jxHUZa&page=1&doc=1 https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/11480 |
| תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|