Ion-beam deposition of thin AlN films on Al2O3 substrate
Thin aluminum nitride (AlN) films on sapphire (Al2O3) substrates were grown by means of ion-beam deposition (IBD) and studied by methods of scanning electron microscopy, Raman scattering, and optical transmission spectroscopy. Results revealed the influence of IBD process parameters (gas mixture com...
Đã lưu trong:
Những tác giả chính: | , , , , , , , |
---|---|
Định dạng: | Статья |
Ngôn ngữ: | English |
Được phát hành: |
MAIK NAUKA/INTERPERIODICA/SPRINGER
2020
|
Những chủ đề: | |
Truy cập trực tuyến: | http://apps.webofknowledge.com/full_record.do?product=WOS&search_mode=GeneralSearch&qid=17&SID=E1foOAlVMmMF3jxHUZa&page=1&doc=1 https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/11480 |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|